DRAM
科技半导体
DRAM读取干扰现象研究揭示芯片鲁棒性关键机制
一项新研究通过TCAD仿真详细分析了DRAM读取干扰现象，该现象包括RowHammer和RowPress两种表现形式，是影响芯片鲁棒性的重要问题。这类干扰会导致DRAM访问过程中其他存储位置发生意外的比特翻转。研究团队通过TCAD仿真弥合了实验表征与器件级物理模型之间的差距，总结了更新的错误机制并识别了影响仿真结果的…
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长鑫科技科创板上市首日大涨，国产存储业面临多重挑战
长鑫科技以8.66元发行价登陆科创板，上市首日收于49元，涨幅465.82%。截至收盘，公司总市值约3.28万亿元，盘中一度达3.68万亿元，超越工商银行成为A股市值最高的公司。当日成交额约1411亿元，刷新A股个股单日成交纪录。此次IPO募集资金约579亿元，创下科创板募资纪录。
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长鑫存储上市首日大涨超四倍 分析师警示投机风险
中国最大DRAM制造商长鑫存储以"长鑫科技"名义在A股上市，股价首日涨幅惊人。开盘价为人民币49.5元，较发行价8.66元上涨471.59%；收盘价为人民币49元，涨幅达465.82%。上市首日市值达3.3兆元，成为中国总市值最高的上市公司和今年亚洲规模最大IPO。